$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Transistores de potencia disponible en TIP31C NPN y TIP32C PNP, ambos tienen un encapsulado de plástico TO-220, estos transistores son de tipo bipolar de propósito general son de muy alto desempeño, de acuerdo a tu proyecto podrás elegir uno de estos transistores.
transistores sirven para aplicaciones de audio, procesamiento de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo y conmutación rápida.
El transistor TIP117 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad PNP, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
El transistor TIP122 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad NPN, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
El 2N2222 NPN es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “NPN”, formado por dos capas de material tipo “N”, separadas por otra de tipo “P”. El 2N2222 NPN esta protegido por un encapsulado de plástico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.
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