$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
– Tipo: transistor
– Color: Negro
– Materiales: Plástico + aleaciones
– Cantidad: 600 unidades.
– Tamaño aproximado. 250 x 180 x 50mm / 9.84in x 7.09in x 1.97in
2SC3858 TRANSISTOR NPN BIPOLAR DE POTENCIA 200V 17A
2SC3858. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió NPN otras.
Transistor IGBT que viene en empaque TO247. Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, rectificación, fuentes de comnutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
2SA1943 TRANSISTOR PNP ORIGINAL PARA AMPLIFICADOR DE AUDIO
Aplicaciones del amplificador de potencia Alto voltaje del colector: VCEO = -230 V (mín.) Complementario a 2SC5200 Recomendado para la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W.
2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
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