$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
All Departments
$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
– Tipo: transistor
– Color: Negro
– Materiales: Plástico + aleaciones
– Cantidad: 600 unidades.
– Tamaño aproximado. 250 x 180 x 50mm / 9.84in x 7.09in x 1.97in
2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
Es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general, Sirve para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, construir puentes H, variar la velocidad de motores pequeños e intensidad de led.
2SA1943 TRANSISTOR PNP ORIGINAL PARA AMPLIFICADOR DE AUDIO
Aplicaciones del amplificador de potencia Alto voltaje del colector: VCEO = -230 V (mín.) Complementario a 2SC5200 Recomendado para la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W.
El transistor TIP117 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad PNP, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
Selecciona al menos 2 productos
para comparar

